بررسی آثار پلاسمونی در طیف جذب نانو نوارهای گرافینی
پایان نامه
- وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه تربیت مدرس - پژوهشکده برق و کامپیوتر
- نویسنده حجت جمعه گی فتح آباد
- استاد راهنما وحید احمدی
- تعداد صفحات: ۱۵ صفحه ی اول
- سال انتشار 1392
چکیده
هدف علم پلاسمونیک، مجتمع کردن مدارات نوری است، در این میان، مواد متداول مورد استفاده در افزاره های پلاسمونی به دلیل تلفات بالا، نیل به هدف علم پلاسمونیک را با مشکل همراه کرده اند. چندی پیش ثابت شد که گرافین امکان میزبانی پلاسمون های سطحی را دارد، البته با دو ویژگی منحصربه فرد نسبت به بقیه مواد: تلفات ناچیز و تنظیم پذیری پلاسمون ها. مقالات زیادی در این حوزه به چاپ رسیده اند، اما بیشتر آن ها به مباحث فیزیکی آن پرداخته و افزاره های انگشت شماری تا به حال مورد بررسی قرارگرفته اند. در این پایان نامه ابتدا به بررسی شرایط لازم برای انتشار پلاسمون ها گرافین پرداختیم، سپس به کمک رسانایی نوری بدست آمده توسط تقریب کوبو، گذردهی گرافین را محاسبه کردیم. در فصل نهایی این پایان نامه به معرفی مدولاتوری خواهیم پرداخت که در آن از نوسان پلاسمون های گرافین برای ایجاد نوسان فانو در طیف عبور موجبر mim و کنترل طیف عبوری مدولاتور به کمک اعمال ولتاژ استفاده شده است. سپس تأثیر ابعاد مختلف ساختار بر روی عملکرد مدولاتور را بررسی کردیم. اما در نهایت به این نتیجه رسیدیم که این ساختار به دلیل تلفات بالای طلا در محدوده ی فروسرخ میانی، از عملکرد خوبی برخوردار نیست. بنابراین پس از بررسی موجبرهای پلاسمونی مختلف، به کمک موجبر پلاسمونی هیبرید به بهبود عملکرد مدولاتور پرداختیم. پس از بررسی پارامترهای مختلف ساختار، در نهایت توانستیم به مدولاتوری برسیم که می تواند با اعمال 15 ولت مقدار عبور را از 85 درصد به 8 درصد برساند. ساختار معرفی شده را می توان به سادگی با تکنولوژی موجود cmos با ابعاد بسیار کوچک طراحی شده در پایان نامه بر روی ویفر soi ساخت.
منابع مشابه
رسانندگی الکتریکی نانو نوارهای گرافینی آرمچیر
از آنجا که ساختارهای کربنی اغلب دارای خواص اعجاب انگیزی هستند، همیشه بررسی رفتارهای الکترونیکی آنها دارای اهمیت بوده است. یکی از این ساختارهای کربنی، نانونوارهای کربنی آرمچیر هستند که در این پایان نامه به بررسی آنها می پردازیم. نانونوارها را میتوان بصورت برشی از یک لایه گرافین فرض کرد که دارای یک عرض مشخص است اما از دوطرف تا بینهایت ادامه دارد. ما در این پایان نامه، 7 نوار مختلف با عرضهای متفا...
مطالعه ترابرد وابسته به اسپین در نانو نوارهای گرافینی خمیده
در این پایان نامه، ما ترابرد الکترونی در گرافین را در حضور برهم کنش اسپین-مدار راشبا با استفاده از روش ماتریس انتقال مورد مطالعه قرار می¬دهیم. ابتدا یک ناحیه¬ی اسپین-مدار ناهمگن بین دو ناحیه¬ی نرمال در یک گرافین تخت در نظر می¬گیریم، که در مرز ناحیه¬ی بین اسپین-مدار با ناحیه¬ی نرمال شدت اسپین- مدار به صورت خطی تغییر پیدا می¬کند و ناحیه-ی مرکزی اسپین-مدار دارای شدت اسپین- مدار ثابتی می¬باشد. احتم...
تاثیرات جفت شدگی اسپین مدار روی نانو نوارهای گرافینی
در این رساله با استفاده از فرمول بندی پراکندگی لاندائو-بتیکر به بررسی رسانش در گرافین تک لایه می پردازیم . گرافین تک لایه یک نیمرسانای بدون گاف است که اخیرا توجه زیادی را به خود جلب کرده است . ما نشان خواهیم داد با حضور جفت شدگی اسپین مدار می توان در این ماده دو بعدی گاف ایجاد نمود . نتایج نشان می دهند جفت شدگی اسپین مدار راشبا علاوه بر ایجاد گاف در نوار، می تواند روی ترابرد اسپین حامل های ...
15 صفحه اولاثر کرنش بر خواص ترابرد الکترونی نانو نوارهای گرافینی ابرشبکه
در این پایان نامه، پس از توصیف نظری ترابرد الکترونی در نانونوارهای گرافینی، اثر کرنش و میدان مغناطیسی را بر ویژگی های ترابرد الکترونی نانونوارهای گرافینی ابرشبکه با لبه ی زیگزاگ و دسته صندلی، در مدل بستگی قوی و رهیافت تابع گرین بررسی خواهیم کرد. اثر کرنش تحت زوایای گوناگون و همچنین اثر میدان مغناطیسی یکنواخت عمود بر سامانه را بر رسانش الکتریکی و چگالی حالات الکترونی، به روش عددی مطالعه خواهیم ن...
ترابرد الکتریکی وابسته به اسپین در نانو نوارهای گرافینی و نانو لوله کربنی
در این رساله رسانش الکترونی وابسته به اسپین در نانو ساختارهای پایه کربنی در چارچوب فرمولبندی ترابرد همدوس لاندائور و با استفاده از هامیلتونی بستگی قوی تک باندی و چند باندی، توابع گرین سطحی و ماتریس های انتقال بررسی و محاسبه می شود. ویژگی های مغناطیسی مورد بررسی، ناشی از خواص مغناطیسی تهی جای ها، اتمهای مغناطیسی ناخالصی و میدانهای خارجی است. بعلاوه خواص مغناطیسی نانو دیسک ها و نانو نوار های گراف...
15 صفحه اولبررسی اثر بی نظمی روی چگالی حالات نانو روبانهای گرافینی
In the present paper, we calculate the effect of disorder on the density of states and localization of eigenstates of zigzag and armchair nano-ribbons. Both Anderson disorder model and quantom percolation are considered. The eigenstates of the disordered hamiltonian is calculated in a tight–binding approximation and the localization of eigenstates are characterized using the inverse participati...
متن کاملمنابع من
با ذخیره ی این منبع در منابع من، دسترسی به آن را برای استفاده های بعدی آسان تر کنید
ذخیره در منابع من قبلا به منابع من ذحیره شده{@ msg_add @}
نوع سند: پایان نامه
وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه تربیت مدرس - پژوهشکده برق و کامپیوتر
میزبانی شده توسط پلتفرم ابری doprax.com
copyright © 2015-2023